在绝缘衬底上生长大面积高结晶度MoS2薄层
材料科学
2015-06-04 v1
摘要
二硫化钼(MoS2)的二维层因其直接带隙特性以及在光电子学和能量收集中的潜在应用而最近引起了广泛兴趣。然而，获得高质量和大面积MoS2原子薄层的合成方法仍然很少。在这里我们报道，在硫存在下对热分解的硫代钼酸铵层进行高温退火可以在绝缘衬底上生长出具有优异电学性能的大面积MoS2薄层。光谱和显微结果表明合成的MoS2片层具有高结晶度。由合成的MoS2层制成的底栅晶体管器件的电子迁移率与从MoS2晶体机械剥离的薄片相当。这种合成方法简单、可扩展，并且适用于其他过渡金属二硫化物。同时，所获得的MoS2薄膜可以转移到任意衬底上，为通过堆叠各种原子薄层制造层状复合材料提供了巨大机会。
引用
@article{arxiv.1202.5354,
title = {Growth of Large-Area and Highly Crystalline MoS2 Thin Layers on Insulating Substrates},
author = {Keng-Ku Liu and Wenjing Zhang and Yi-Hsien Lee and Yu-Chuan Lin and Mu-Tung Chang and Ching-Yuan Su and Chia-Seng Chang and Hai Li and Yumeng Shi and Hua Zhang and Chao-Sung Lai and Lain-Jong Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.5354},
year = {2015}
}
备注
manuscript submitted on 11-Dec-2011, revision submitted on 16-Feb-2012