利用磁控溅射制备大面积二维 MoS2 的可行途径
材料科学
2017-03-16 v2
摘要
研究了利用磁控溅射在 BN 缓冲硅衬底上制备的大面积 MoS2 超薄膜的结构、界面、光学和输运性质。本文展示了一种相对简单的生长策略，可同时促进优越的界面和体 MoS2 性质。通过 X 射线反射率、衍射、椭偏仪和拉曼光谱测量确认了少层 MoS2。光学常数的层特定建模与第一性原理计算显示出非常好的一致性。电导率测量揭示少层 MoS2 薄膜比多层薄膜导电性更好。光电导测量表明，溅射沉积的 MoS2 薄膜与其他大面积方法相比具有优势。我们的工作阐明，溅射是使用过渡金属二硫属化物进行大面积器件应用的一种可行途径。
引用
@article{arxiv.1605.07568,
title = {Viable route towards large-area two dimensional MoS2 using magnetron sputtering},
author = {Hassana Samassekou and Asma Alkabsh and Milinda Wasala and Miller Eaton and Aaron Walber and Andrew Walker and Olli Pitkänen and Krisztian Kordas and Saikat Talapatra and Thushari Jayasekera and Dipanjan Mazumdar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.07568},
year = {2017}
}
备注
19 pages including figures