晶格失配驱动的面内应变工程以提升 Mo2N 超导薄膜的临界场
超导电性
2025-06-06 v1 材料科学
摘要
过渡金属氮化物是一类令人兴趣的硬质涂料材料，为研究超导性及基本电子-声子相互作用提供了优异平台。本文研究了通过直流磁尖 sputtering 法制备的 Mo2N 薄膜，其分别生长于 cplane Al2O3 和 MgO 衬底，以阐明内应变对超导性的影响。高分辨率 X 射线衍射和经时飞行弹性回收检测分析确认，单相 Mo2N 薄膜呈现晶体学生长，具有双域结构。低温电阻传输测量显示，其分别生长于 Al2O3 和 MgO 衬底上的超导过渡分别为 5.2 K 和 5.6 K，对应的上临界场为 5 T 和 7 T。这些结果表明其为强 II 类超导体，观测到的超导性差异归因于衬底诱导的应变，导致 MgO 衬底生长的薄膜 e-ph 耦合更强。本研究突显了通过战略性衬底选择可调控 Mo2N 薄膜超导性的潜力。
引用
@article{arxiv.2506.04750,
title = {Lattice Mismatch Driven In Plane Strain Engineering for Enhanced Upper Critical Fields in Mo2N Superconducting Thin Films},
author = {Aditya Singh and Divya Rawat and Victor Hjort and Abhisek Mishra and Arnaud le Febvrier and Subhankar Bedanta and Per Eklund and Ajay Soni},
journal= {arXiv preprint arXiv:2506.04750},
year = {2025}
}