CrN (111)薄膜中结构孪晶诱导的绝缘相
材料科学
2021-03-04 v1
摘要
关联材料的电子态可通过单晶衬底带来的结构变化得到有效调控。在本快报中，我们表明生长在MgO (001)衬底上的CrN薄膜具有(001)取向，而生长在{\alpha}-Al2O3 (0001)衬底上的CrN薄膜沿(111)方向平行于表面法线取向。CrN薄膜的输运性质随晶体取向显著不同。CrN 111薄膜中金属-绝缘体转变（MIT）的临界厚度明显大于CrN 001薄膜。与无明显缺陷的CrN 001薄膜不同，扫描透射电子显微镜结果显示CrN 111薄膜呈现应变诱导的结构缺陷，例如周期性水平孪晶域，导致电子散射增强，从而促进绝缘态的形成。理解决定超薄导电层电子性质的关键参数对未来技术应用极为重要。
引用
@article{arxiv.2103.02098,
title = {Structural Twinning-induced Insulating Phase in CrN (111) Films},
author = {Qiao Jin and Zhiwen Wang and Qinghua Zhang and Jiali Zhao and Hu Cheng and Shan Lin and Shengru Chen and Shuang Chen and Haizhong Guo and Meng He and Chen Ge and Can Wang and Jia-Ou Wang and Lin Gu and Shanmin Wang and Hongxin Yang and Kui-juan Jin and Er-Jia Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.02098},
year = {2021}
}
备注
19 pages, 4 figures