CrN外延薄膜中的各向异性电子相变
材料科学
2022-03-02 v1
摘要
强关联材料中的电子相变对维度与晶体取向极为敏感。过渡金属氮化物(TMNs)因难以制备高质量化学计量单晶而鲜有研究。在本快报中，我们报道于不同取向NdGaO3(NGO)衬底上CrN薄膜的外延生长与电子性质。令人惊讶地，生长于(110)取向NGO衬底上的CrN薄膜维持金属相，而生长于(010)取向NGO衬底上的CrN薄膜为半导体相。我们将CrN薄膜中非常规电子相变归因于与外延应变的强关联。各向异性应变对带隙的有效调制因而触发金属-绝缘体转变。本工作提供一种利用各向异性应变修饰功能材料电子基态的便捷途径，并进一步激发对TMNs的研究。
引用
@article{arxiv.2111.10566,
title = {Anisotropic electronic phase transition in CrN epitaxial thin films},
author = {Qiao Jin and Jiali Zhao and Manuel Roldan and Shan Lin and Shengru Chen and Haitao Hong and Yiyan Fan and Dongke Rong and Haizhong Guo and Chen Ge and Can Wang and Jia-Ou Wang and Shanmin Wang and Kui-juan Jin and Er-Jia Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.10566},
year = {2022}
}