应变介导的EuNiO3薄膜中金属-绝缘体转变的抑制
强关联电子
2014-04-25 v2
摘要
在从高度压缩（-2.4%）到高度拉伸（2.5%）晶格失配的一系列衬底上生长了超薄EuNiO3外延薄膜。X射线衍射测量显示，压缩应变下c晶格参数发生预期偏移，但拉伸应变衬底上未检测到可测偏移，而倒易空间映射证实拉伸应变薄膜保持外延相干性。输运测量显示，从拉伸到压缩，电阻依次降低，并且在高度压缩晶格失配下金属-绝缘体转变被完全抑制。X射线吸收光谱测量证实了这些发现，显示拉伸样品中存在强烈的多重态分裂，随着压缩应变增加而逐渐减弱，结合团簇计算表明，Ni-d和O-p轨道之间增强的共价性导致了金属态。
引用
@article{arxiv.1304.1751,
title = {Strain mediated suppression of the metal-insulator transition in EuNiO3 thin films},
author = {D. Meyers and S. Middey and M. Kareev and M. van Veenendaal and E. J. Moon and B. A. Gray and J. W. Freeland and J. Chakhalian},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.1751},
year = {2014}
}