应变诱导的EuO薄膜介电常数增大
材料科学
2019-09-23 v3
摘要
近来，作为下一代存储器件中应用的前景广阔的强铁电-铁磁体候选材料，高度应变的一氧化铕的晶格动力学在固态电子学中引起了巨大关注。本文中，作者研究了拉伸应变对脉冲激光沉积EuO薄膜介电性质的影响，温度范围为10至200 K。当薄膜厚度减小至8 nm时，观察到近3%的面外晶格压缩，这可能源于薄膜与LaAlO3衬底之间的晶格失配。薄膜电容和损耗因子的温度与频率依赖性揭示了在100 K以下电子极化和离子极化的主导作用。在应变薄膜上制备的交指电容器相比弛豫薄膜显示出近50%的电容增加，对应于面内拉伸应变诱导的介电常数显著增大。根据Lyddane-Sachs-Teller关系，拉伸应变导致的EuO晶格面内极化横光学声子模软化可能是该行为的主要贡献因素。
引用
@article{arxiv.1905.11051,
title = {Strain-induced increase of dielectric constant in EuO thin film},
author = {Alireza Kashir and Hyeon-Woo Jeong and Woochan Jung and Yoon Hee Jeong and Gil-Ho Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.11051},
year = {2019}
}