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Epitaxial BaTiO₃薄膜中的晶格松弛

材料科学 2007-05-23 v1

摘要

我们利用同步辐射X射线衍射研究了铼钛氧化物(BaTiO₃)薄膜中由铁电相变引起的垂直方向晶格松弛问题。在压缩应变或拉伸应变条件下,温度变化均存在两个结构相变。铁电临界温度Tc与应变强度呈强相关,可比 Bulk情况下的Tc高出约100 K。压缩应变下,BaTiO₃晶胞的垂直扭率表明其第一铁电相的极化方向为垂直于薄膜;拉伸应变下则表明极化方向为平面内。较低温度的相变可能对应于aa→r或c→r相变,依据Pertsev等人的记号。晶体域的取向与理论预测一致。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0511518,
  title  = {Lattice Relaxation in Epitaxial BaTiO$_3$ Thin Films},
  author = {Feizhou He and Barrett O. Wells},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0511518},
  year   = {2007}
}

备注

4 pages, 3 figures