夹持效应对生长在MgO(001)上的外延EuPd$_2$Si$_2$薄膜中温度诱导价态转变的影响
材料科学
2024-01-11 v1 强关联电子
摘要
块体EuPdSi表现出铕的温度驱动价态转变：在200 K以上约为+2，在100 K以下约为+3，这与晶格沿两个a轴收缩约2%相关。由于晶格与电子自由度之间的这种关联，外延薄膜中应变的影响尤为有趣。环境X射线衍射（XRD）确认了四方EuPdSi在MgO(001)上的外延关系，薄膜具有面外c轴取向，且两晶格的a轴对齐。低温XRD揭示薄膜晶格与衬底强耦合，在300至10 K温度范围内未出现突变压缩。300和20 K下的硬X射线光电子能谱显示铕的价态与温度无关，为+2.0。冷却时产生的双轴拉伸应变被认为抑制了价态转变。相反，在高达5 T磁场中的低温电阻率与霍尔效应输运测量指向16–20 K处与膜厚无关的相变，表明磁有序。
引用
@article{arxiv.2208.14912,
title = {Clamping effect on temperature-induced valence transition in epitaxial EuPd$_2$Si$_2$ thin films grown on MgO(001)},
author = {Sebastian Kölsch and Alfons Schuck and Olena Fedchenko and Dmitry Vasilyev and Sergeij Chernov and Lena Tkach and Christoph Schlüter and Thiago R. F. Peixoto and Andrii Gloskowski and Hans-Joachim Elmers and Gerd Schönhense and Cornelius Krellner and Michael Huth},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.14912},
year = {2024}
}