EuPd$_2$(Si$_{1-x}$Ge$_x$)$_2$单晶中从价态涨落到长程磁有序的演化

EuPd$_2$Si$_2$是一个价态涨落体系，在$T'_V\approx160\,$K发生温度诱导的价态交叉。我们报道了采用Czochralski法成功生长替代系列EuPd$_2$(Si$_{1-x}$Ge$_x$)$_2$的单晶，替代水平$x\leq 0.15$。对锗含量的仔细测定表明，仅有名义浓度的一半进入了晶体结构。由热力学测量确定，对于小的替代水平$T'_V$被强烈抑制，而对于$x\gtrsim 0.10$则出现来自稳定二价铕的反铁磁有序。价态转变伴随着晶格参数$a$约1.8%的显著变化。在$T_N = 47$ K以下的反铁磁有序态中，我们发现显著的磁各向异性，易面垂直于晶体学c方向。熵分析表明，对于磁有序材料不存在价态涨落。结合所获得的热力学和结构数据，我们构建了浓度-温度相图，展示了EuPd$_2$(Si$_{1-x}$Ge$_x$)$_2$中从价态涨落态到磁有序态相当 abrupt 的变化。