欧尔Pd$_2$Si$_2$临界端点附近的电子结构
强关联电子
2024-10-25 v1 材料科学
摘要
硬 X 射线角分辨光谱揭示了 EuPdSi 在温度 处价带态显著变化, 此时 Eu 离子发生从磁性 Eu 态向低温价值波动态的温度诱导价值交叉。向 Pd 晶格位点掺入少量 Au 以及向 Si 位点掺入 Ge, 则 降低, 同时在低温出现反铁磁态且无价值波动。有人提出, AFM 有序与价值交叉之间的边界代表与特定类型的二级临界端点相关的一次相变。在此情景下, 强耦合效应 between 波动的电荷、自旋和晶格自由度是期待的。对于 x=0.13 的 EuPd(SiGe) 样品, 其位于临界端点附近, 我们观察到导带态的分裂以及具有一维特征的平坦带的出现。与 ab initio 理论的比较表明, 实验结果在临界端点附近的能带方面具有很高的关联性。
引用
@article{arxiv.2410.18597,
title = {The electronic structure of EuPd$_2$Si$_2$ in the vicinity of the critical endpoint},
author = {O. Fedchenko and Y. -J. Song and O. Tkach and Y. Lytvynenko and S. V. Chernov and A. Gloskovskii and C. Schlueter and M. Peters and K. Kliemt and C. Krellner and R. Valenti and G. Schoenhense and H. J. Elmers},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.18597},
year = {2024}
}
备注
9 pages, 9 figures