单晶 GdPt₂Si₂ 的合成及其各向异性磁性

使用 Sn 熔剂法生长了 GdPt$_2$Si$_2$ 单晶，其结晶于 CaBe$_2$Ge$_2$ 型四方结构，空间群为 $P4/nmm$。电阻率、比热和磁化数据揭示了双重磁转变的存在，对应温度分别为 $T_N \approx 8.4$~K 和 $T_0 \approx 6.8$~K。比热数据分析表明分别为振幅调制和等矩反铁磁有序。场诱导磁化和磁化率数据显示在 $H \parallel a$ 方向于 2~K 处存在变磁转变，以及随外磁场增大 $T_0$ 处磁转变被抑制。电子自旋共振（ESR）显示 Gd$^{3+}$ 共振后跟随一个较小的二次共振。峰-峰线宽（$\Delta H_{pp}$）分析显示在 $T \sim 120$~K 处有轻微展宽，表明高温下磁涨落增强。通过 $g$ 因子分析，在高温下也观测到铁磁（FM）局部极化，显示出显著的正向偏移（$\Delta g$）。我们的结果确立了该材料的基本物理性质，有助于进一步理解 RPt$_2$Si$_2$ 系列及相关非中心对称系统中的磁性。