GdRh$_2$Si$_2$ 单晶生长与表征
强关联电子
2016-12-05 v1
摘要
采用改进的 Bridgman 方法，利用高温铟熔剂生长制备了 GdRhSi 单晶，获得了具有板状习性的毫米级单晶。GdRhSi 的比热和磁化率数据在 处表现出明显的异常，反铁磁有序在此温度下建立。在沿四方晶格 、 和 方向施加 B = 0 - 9 T 外场的条件下，对单晶进行了低至 K 的磁学测量。由 Curie-Weiss 拟合确定的有效磁矩与文献值吻合良好，且大于理论预测值。沿 方向平行和垂直记录的电输运数据显示在 以下存在巨大各向异性。剩余电阻率比 表明我们成功利用高温铟熔剂生长制备了高质量单晶。
引用
@article{arxiv.1612.00781,
title = {Single crystal growth and characterization of GdRh$_2$Si$_2$},
author = {Kristin Kliemt and Cornelius Krellner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.00781},
year = {2016}
}