YbRh2Si2 与 YbIr2Si2 的单晶生长
强关联电子
2012-07-06 v1 材料科学
摘要
我们报道了使用高温铟助熔剂技术生长重费米子化合物 YbRh2Si2 和 YbIr2Si2 单晶的过程。通过优化初始成分和温度-时间曲线，获得了大尺寸（最大达 100 mg）且纯净（ cm）的 YbRh2Si2 单晶。低温电阻率测量揭示了 10 K 以下存在依赖于样品的温度指数，对于最高质量的样品，该指数偏离了线性温度行为。此外，我们生长了合金系列 Yb(Rh_(1-x)Ir_x)2Si2（0<x<0.23）的单晶并报道了其结构细节。对于纯 YbIr2Si2，我们确定了两种晶体学变体的形成，其中磁性 4f 电子具有不同的物理基态。
引用
@article{arxiv.1112.5251,
title = {Single crystal growth of YbRh2Si2 and YbIr2Si2},
author = {Cornelius Krellner and Sebastian Taube and Tanja Westerkamp and Zakir Hossain and Christoph Geibel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.5251},
year = {2012}
}
备注
Invited paper for the Symposium on `Design, Discovery and Growth of Novel Materials' in the Philosophical Magazine