Yb(Rh1-xCox)2Si2 单晶在低温下的电阻率
强关联电子
2010-07-08 v1
摘要
我们报告了 Yb(Rh1-xCox)2Si2 单晶 (0 <= x <= 0.12) 在低温下的电阻率测量结果。在 Rh 位点上用 Co 进行等电子替代会导致晶胞体积减小，从而稳定反铁磁性。因此，反铁磁转变温度随 Co 替代而升高。对于 x = 0.07 的 Co 含量，观察到随后的低温转变，这与磁化率测量以及 YbRh2Si2 在静水压下的结果一致。在奈尔转变温度以上，电阻率表现出与 YbRh2Si2 类似的非费米液体行为。
引用
@article{arxiv.0906.2894,
title = {Electrical resistivity ofYb(Rh1-xCox)2Si2 single crystals at low temperatures},
author = {S. Friedemann and N. Oeschler and C. Krellner and C. Geibel and F. Steglich},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.2894},
year = {2010}
}
备注
4 pages, submitted to SCES08