Yb(Rh0.97Co0.03)2Si2中的量子临界性：低温电阻率探测
强关联电子
2010-07-08 v2
摘要
通过电阻率和磁电阻研究了Yb(Rh0.97Co0.03)2Si2中的量子临界性。根据Yb体系化学压强的应用预期，Co的部分替代导致磁性的稳定化。然而，与化学计量比YbRh2Si2相比，Kondo击穿的特征在温度-磁场相图中仍位于相同位置。因此，Kondo击穿位于反铁磁相内部。这些结果很好地符合化学压强下的全局相图[1]。
引用
@article{arxiv.0906.2646,
title = {Quantum criticality in Yb(Rh0.97Co0.03)2Si2 probed by low-temperature resistivity},
author = {Sven Friedemann and Niels Oeschler and Cornelius Krellner and Christoph Geibel and Frank Steglich},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.2646},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 4 figures, submitted to ICM/SCES2009