反铁磁性 YbIr$_3$Si$_7$ 中的近藤耗尽与导电表面态
强关联电子
2019-09-04 v2
摘要
在含局域磁矩的强关联材料中，近藤屏蔽与磁序的相互作用是一个微妙的问题。[1] 通常传导电子的数目与磁矩数目相当或超过之，并在低温下形成近藤屏蔽的重费米液体。[2] 改变压力、磁场或化学掺杂可使该重费米液体让位于磁有序态。[3,4] 本文报道一种此类“近藤晶格”材料 YbIrSi 的发现，其中自由载流子数远少于局域磁矩数。这导致“近藤耗尽”：[5] 由于所有自由载流子都被消耗于近藤单态的形成，电导率在低温下趋于零。该效应与反铁磁长程序共存，其尼尔温度 。此外，该材料显示出可能具有拓扑性质的导电表面态，从而成为未来研究的一个令人振奋的课题。
引用
@article{arxiv.1908.11336,
title = {Kondo exhaustion and conductive surface states in antiferromagnetic YbIr$_3$Si$_7$},
author = {Macy Stavinoha and C. -L. Huang and W. Adam Phelan and Alannah M. Hallas and V. Loganathan and Jeffrey W. Lynn and Qingzhen Huang and Franziska Weickert and Vivien Zapf and Katharine R. Larsen and Patricia D. Sparks and James C. Eckert and Anand B. Puthirath and C. Hooley and Andriy H. Nevidomskyy and E. Morosan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.11336},
year = {2019}
}