Kondo晶格体系中的低载流子密度与脆弱磁性
强关联电子
2019-02-14 v2
摘要
基于Kondo的半金属和半导体作为强关联态的可行平台正受到广泛关注。因此，理解通向此类稀载流子关联态的途径十分重要。一条已确立的路径是通过金属性非磁性类似物中的Kondo效应。本文提出一种新机制，基于Kondo的半金属在具有偶数个稀土位点的情形下由低载流子密度的传导电子发展而来。我们通过研究Kondo材料 Yb3Ir4Ge13 及其闭f壳层对应物 Lu3Ir4Ge13 来展示该效应。借助磁输运、光学电导和热力学测量，我们确认 Yb3Ir4Ge13 在其Kondo温度以下的关联半金属态源于低载流子传导电子背景的Kondo效应。此外，它在极低温下表现出脆弱磁性，而该磁性又可通过Lu替代Yb调控至非费米液体态。这些发现与近期简化模型的理论研究相关联。我们的结果开辟了在半金属环境中探索强关联物理的全新途径。
引用
@article{arxiv.1805.01918,
title = {Low-carrier density and fragile magnetism in a Kondo lattice system},
author = {Binod K. Rai and Iain W. H. Oswald and Wenjing Ban and C. -L. Huang and V. Loganathan and A. M. Hallas and M. N. Wilson and G. M. Luke and L. Harriger and Q. Huang and Y. Li and Sami Dzsaber and Julia Y. Chan and N. L. Wang and Silke Paschen and J. W. Lynn and Andriy H. Nevidomskyy and P. Dai and Q. Si and E. Morosan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.01918},
year = {2019}
}