新型 5d 准方钴矿 Yb3Os4Ge13 中的近藤效应
强关联电子
2016-01-20 v1
摘要
我们报道了利用 Bi 助熔剂法生长的一种新化合物 Yb3Os4Ge13 的晶体。X 射线衍射测量表明，其结晶为具有立方空间群 Pm-3n（No. 223）的准方钴矿型笼状结构。磁性测量显示，在 120 K 以上，Yb f-磁矩几乎完全局域化。电阻率表现出从金属行为到绝缘体行为的交叉，并在低于约 40 K 时呈现对数增加。比热系数在低于约 5 K 时迅速上升，并在 2 K 时超过 2 J mol-1 K-2。我们的实验分析和电子能带结构计算表明，由于局域化的 Yb f-磁矩与周围 Ge 笼的 p-电子之间的强杂化，Yb3Os4Ge13 表现出近藤效应。
引用
@article{arxiv.1411.1616,
title = {Kondo effect in a novel 5d quasi-skutterudite Yb3Os4Ge13},
author = {C. L. Yang and X. Wang and X. Zhang and D. S. Wu and M. Liu and P. Zheng and J. Y. Yao and Z. Z. Li and Y. F. Yang and Y. G. Shi and J. L. Luo and N. L. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.1616},
year = {2016}
}
备注
18 pages, 5 figures, 2 tables