YbRh2Si2 中压力与 Ir 替代的效应
强关联电子
2008-11-10 v1
摘要
本文研究了 Yb(Rh-xIrx)2Si2 (x=0.06) 在高压和磁场下的电阻率。Ir 替代使晶胞膨胀，并导致反铁磁转变温度被抑制至零，在该处可能存在一个量子临界点 (QCP)。我们施加静水压以逆转替代效应。我们的结果表明，Yb(Rh0.94Ir0.06)2Si2 位于体积调控的 QCP 紧邻处，但仍处于相图的磁有序侧。Yb(Rh0.94Ir0.06)2Si2 的温度-压力相图与纯化合物相似。替代主要起化学压力的作用。替代引入的无序仅产生次要影响。
引用
@article{arxiv.0810.2471,
title = {Effect of pressure and Ir substitution in YbRh2Si2},
author = {M. E. Macovei and M. Nicklas and C. Krellner and C. Geibel and F. Steglich},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.2471},
year = {2008}
}
备注
9 pages, 7 figures, accepted for publication in J. Phys.: Condens. Matter