化学替代和压力对YbRh2Si2的影响
强关联电子
2010-03-11 v1
摘要
我们在(Yb,La)Rh2Si2和Yb(Rh,Ir)2Si2上进行了压力下和磁场中的电阻率实验。YbRh2Si2在常压下表现出弱反铁磁转变，奈尔温度仅为T_N = 70 mK。通过施加一个小磁场，T_N可以在B_c = 60 mT (B_|_c)处被连续抑制到T=0，从而将系统驱动到量子临界点(QCP)。施加外部压力时，磁相被稳定，T_N(p)增加，这通常在Yb基重费米子金属中观察到。用La替代Yb或用Ir替代Rh可以产生负化学压力，La (Ir)比Yb (Rh)小，并最终将YbRh2Si2驱动到压力控制的QCP。在本文中，我们比较了外部静水压力和化学替代对YbRh2Si2基态性质的影响。
引用
@article{arxiv.1003.2143,
title = {Effect of chemical substitution and pressure on YbRh2Si2},
author = {M. Nicklas and M. E. Macovei and J. Ferstl and C. Krellner and C. Geibel and F. Steglich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.2143},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 5 figures, proceedings paper of the QCNP09