(Ce$_{1-x}$La$_x$)Cu$_2$Ge$_2$ 中显著稳健且关联的相干性与反铁磁性

我们报道了对 (Ce$_{1-x}$La$_x$)Cu$_2$Ge$_2$ 单晶（0 $\leq x\leq$ 1）的磁化率、电阻率、比热和热电势测量。随着 La 替代，反铁磁温度 $T_N$ 以几乎线性的方式被抑制，并在 $x>$ 0.8 时降至我们测量的最低温度 0.36 K 以下。令人惊讶的是，除了稳健的反铁磁性外，该系统在高达约 0.9 的 La 组分下，还表现出低于 $T_{coh}$ 的低温相干散射，这表明存在一个约 9% 的微小 Ce 渗流极限，该极限将相干区与单离子 Kondo 杂质区区分开来。研究发现，$T_{coh}$ 作为磁场的函数在 $x$< 0.9 和 $x$> 0.9 时表现出不同的行为。值得注意的是，在 $H$ = 0 时，$(T_{coh})^2$ 与 $T_N$ 呈线性正比关系。对于 (Ce$_{1-x}$La$_x$)Cu$_2$Ge$_2$，在 $T_N$ 处的磁比热跃变 $\delta C_{m}$ 作为 $T_K/T_N$ 的函数，遵循基于 $S$ = 1/2 共振能级模型的分子场计算的理论预测。