Mo3Sb7 单晶的通量生长及其物理性质
超导电性
2013-05-24 v1 强关联电子
摘要
利用自助熔剂技术生长了毫米级的 Mo3Sb7 单晶，并报道了对其结构、磁性、热学和输运性质的全面表征。首次通过中子单晶衍射确定了高温立方相和低温四方相的结构参数。室温下的 X 射线粉末衍射和中子单晶衍射均证实 Mo3Sb7 结晶为具有 Im-3m 空间群的 Ir3Ge7 型立方结构。X 射线单晶衍射观察到的 (4 0 0) 反射峰分裂以及中子单晶衍射观察到的 (12 0 0) 峰强度的剧烈变化，证实了 53K 处的立方 - 四方结构相变。伴随冷却过程，该结构相变伴随着磁化率、电阻率和热电势的急剧下降。在比热的温度依赖性中也观察到了 53K 附近的微弱 lambda 反常，估计跨越该相变的熵变为 1.80 J/molMoK。磁化率的温度依赖性测量高达 750K，其在室温以上遵循居里 - 外斯行为。对低温磁化率的分析表明，在 53K 附近存在约 110K 的自旋能隙。在低温四方相中观察到了典型的声子热导率。53K 以上的玻璃态声子热导率表明在宽温度范围内存在结构不稳定性。在生长的晶体中观察到 2.35K 的超导电性，确定的无量纲比热跃变为 1.49，略大于弱耦合极限下的 BCS 值 1.43。
引用
@article{arxiv.1303.1106,
title = {Flux growth and physical properties of Mo3Sb7 single crystals},
author = {J. -Q. Yan and M. A. McGuire and A. F. May and H. Cao and A. D. Christianson and D. G. Mandrus and B. C. Sales},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.1106},
year = {2013}
}
备注
9 pages, 10 figures, accepted for publication in Phys. Rev. B