F 取代 NdOBiS2 单晶的结构分析与超导性质
超导电性
2013-11-18 v1
摘要
利用 CsCl/KCl 助熔剂生长了 F 取代的 NdOBiS2 超导单晶。这是 BiS2 基超导体单晶生长的首个实例。所得单晶呈板状，尺寸为 1-2 mm，具有发育良好的 ab 面。通过单晶 X 射线衍射分析确定生长晶体的晶体结构为四方晶系空间群 P4/nmm (#129)，晶格常数为 a = 3.996(3) A 和 c = 13.464(6) A。生长晶体的化学式约为 Nd0.98(0.06)O0.7(0.1)F0.3(0.1)Bi0.98(0.04)S2，且电子探针显微分析未在生长晶体中检测到 Cs、K 和 Cl。生长晶体的临界温度约为 5 K。基于有效质量模型和上临界场，估计单晶的超导各向异性约为 30。
引用
@article{arxiv.1309.6400,
title = {Structural Analysis and Superconducting Properties of F-Substituted NdOBiS2 Single Crystals},
author = {Masanori Nagao and Satoshi Demura and Keita Deguchi and Akira Miura and Satoshi Watauchi and Takahiro Takei and Yoshihiko Takano and Nobuhiro Kumada and Isao Tanaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.6400},
year = {2013}
}
备注
27 pages, 9 figures