(La,Ce)OBiS2 单晶的生长与表征
应用物理
2019-06-05 v1 超导电性
摘要
使用 CsCl 助熔剂成功生长出 (La,Ce)OBiS2 单晶。所获单晶呈片状，尺寸为 0.5-2.0 mm，具有发育良好的 ab 面。晶体厚度随 Ce 含量减少而增加。(La,Ce)OBiS2 单晶表现出超导性质。此外，超导转变温度随 Ce 含量增加而升高。所获 (La,Ce)OBiS2 单晶呈四方结构，基于 X 射线吸收精细结构谱确定晶体中 Ce 的价态为 Ce3+ 与 Ce4+ 混合价态。
引用
@article{arxiv.1906.01366,
title = {Growth and characterization of (La,Ce)OBiS2 single crystals},
author = {Yuji Hanada and Masanori Nagao and Akira Miura and Yuki Maruyama and Satoshi Watauchi and Yoshihiko Takano and Isao Tanaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.01366},
year = {2019}
}
备注
12 pages, 6 figures