La(O,F)BiSSe 超导体中硫族原子的占位选择性
超导电性
2015-03-18 v2
摘要
采用 CsCl 助熔剂法成功生长了 La(O,F)BiSSe 单晶。单晶 X 射线结构分析表明，该晶体结构与基于 BiS 或 BiSe 的化合物同构，空间群为 （晶格参数 = 4.1110(2) {\AA}, = 13.6010(7) {\AA}）。然而，在超导层中，S 原子选择性地占据 Bi-SSe 金字塔的顶点位置。磁化率和电阻率测量显示，该单晶在 4.2 K 处出现超导转变。根据其上临界磁场确定超导各向异性参数为 34。该各向异性与常压下 La(O,F)BiCh ( = S, Se) 家族其他成员的范围相同。
引用
@article{arxiv.1412.8387,
title = {Site Selectivity on Chalcogen Atoms in Superconducting La(O,F)BiSSe},
author = {Masashi Tanaka and Takuma Yamaki and Yoshitaka Matsushita and Masaya Fujioka and Saleem J. Denholme and Takahide Yamaguchi and Hiroyuki Takeya and Yoshihiko Takano},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.8387},
year = {2015}
}
备注
17 pages + 2 pages for supplement, 6 figures