超导层状铋氧硒化物 La(O,F)BiSe2 的首次单晶生长与结构分析
超导电性
2014-08-15 v1
摘要
首次通过 CsCl 助熔剂法成功生长了 La(O,F)BiSe2 单晶。单晶 X 射线结构分析清楚地表明，La(O,F)BiSe2 结晶于空间群 P4/nmm（晶格参数 a = 4.1408(2) {\AA}, c = 14.1096(6) {\AA}）。该结构由交替的 BiSe2 和 LaO 层组成。磁化率和电阻率测量显示其在 3.6 K 处发生超导转变，该温度高于未掺杂的 La(O,F)BiS2。结构分析表明，La(O,F)BiSe2 是一种潜在的超导体，在高压下可能具有更高的 Tc。
引用
@article{arxiv.1406.0734,
title = {First single crystal growth and structural analysis of superconducting layered bismuth oxyselenide; La(O,F)BiSe2},
author = {Masashi Tanaka and Masanori Nagao and Yoshitaka Matsushita and Masaya Fujioka and Saleem J. Denholme and Takahide Yamaguchi and Hiroyuki Takeya and Yoshihiko Takano},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.0734},
year = {2014}
}
备注
19 pages, 4 figures, 3 tables