PrOBiS2 单晶的高压生长与输运性质
超导电性
2019-04-23 v1
摘要
使用 KCl 助熔剂成功生长了 PrOBiS2 单晶。所获晶体呈片状，典型尺寸为 0.5-1.0 mm，且具有发育良好的 ab 面。通过 X 射线吸收精细结构谱分析确定，所生长晶体的 Pr 价态近乎三价。PrOBiS2 单晶在降至 0.25 K 时未表现出超导性。利用金刚石压砧腔在高达 50 GPa 的高压下，其 2-300 K 的输运性质表现为半导体行为。
引用
@article{arxiv.1904.09402,
title = {Growth and transport properties under high pressure of PrOBiS2 single crystals},
author = {Masanori Nagao and Akira Miura and Ryo Matsumoto and Yuki Maruyama and Satoshi Watauchi and Yoshihiko Takano and Kiyoharu Tadanaga and Isao Tanaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.09402},
year = {2019}
}
备注
19 pages, 5 figures