Nd(O,F)BiS2 单晶的光谱学研究
超导电性
2015-06-22 v1
摘要
我们展示了利用 KCl/LiCl 助熔剂法生长的 F 取代 NdOBiS 超导单晶的光谱学研究。测量揭示了一种简单的金属响应，其屏蔽等离子体边缘相对较低，位于 5000 \cm附近。估计等离子体频率为 2.1 eV，这远小于基于第一性原理计算得出的电子掺杂水平 x=0.5 的预期值，但非常接近基于 ARPES 实验确定的每个 Bi 位点 7\% itinerant 电子掺杂水平的值。带间跃迁的能标也被第一性原理计算很好地重现。结果表明该化合物中不存在关联效应，这实质上排除了超导的奇异配对机制或基于强电子关联效应的场景。研究还揭示，该系统远未达到广泛讨论的 x=0.5 掺杂水平下的电荷密度波（CDW）不稳定性。
引用
@article{arxiv.1406.5851,
title = {Optical spectroscopy study of Nd(O,F)BiS2 single crystals},
author = {X. B. Wang and S. M. Nie and H. P. Wang and P. Zheng and P. Wang and T. Dong and H. M. Weng and N. L. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.5851},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 5 figures