SrPt$_2$As$_2$超导体的单晶生长与光学电导率
超导电性
2013-05-30 v2 强关联电子
摘要
采用自熔法合成了具有 CaBeGe型结构的 SrPtAs单晶。进行了 X 射线衍射、透射电子显微镜、电阻率、比热和光学光谱测量，以阐明 SrPtAs的性质。SrPtAs单晶在 5.2K 处表现出超导转变，并在远高于室温（约 455K）时经历结构相变。超导转变温度和结构相变温度均因 6% 的铱（Iridium）掺杂而降低。纯 SrPtAs和掺杂单晶均显示出高度金属性且具有相当高的等离子体频率。特别是，光学光谱测量揭示了两个类能隙抑制特征。我们详细阐述了较高能标处的特征可归因于关联效应，而较低能标处的特征则与结构相变有关，导致费米面的一小部分被移除。
引用
@article{arxiv.1204.5984,
title = {Single crystal growth and optical conductivity of SrPt$_2$As$_2$ superconductors},
author = {A. F. Fang and T. Dong and H. P. Wang and Z. G. Chen and B. Cheng and Y. G. Shi and P. Zheng and G. Xu and L. Wang and J. Q. Li and N. L. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.5984},
year = {2013}
}
备注
7 pages, 6 figures