空穴掺杂 SrFe$_{2-x}$Cu$_x$As$_2$ 单晶的物理性质
强关联电子
2012-12-04 v1 超导电性
摘要
我们报道了采用自助熔剂法生长的 SrFeCuAs 单晶的结构、磁性和电子输运性质。SrCuAs 和 SrFeAs 在室温下均结晶为 ThCrSi 型（122 型）结构，但表现出截然不同的磁性和电子输运性质。X 射线光电子能谱 (XPS) Cu-2p 芯能级位置、电阻率、磁化率以及正霍尔系数表明，SrCuAs 是一种 sp 带金属，其 Cu 处于 3d 电子组态，对应于 Cu 价态。与 SrCuAs 相比，SrFeCuAs 中 Cu-2p 芯能级位置几乎不变，表明在 SrFeAs 中用 Cu 部分替代 Fe 可能导致空穴掺杂，而非预期的电子掺杂。尽管随着 Cu 掺杂量的增加，结构/自旋密度波 (SDW) 转变逐渐被抑制，但在 Fe 位点进行 Cu 替代并未诱导超导电性。
引用
@article{arxiv.1212.0295,
title = {Physical properties in hole-doped SrFe$_{2-x}$Cu$_x$As$_2$ single crystals},
author = {Y. J. Yan and P. Cheng and J. J. Ying and X. G. Luo and F. Chen and H. Y. Zou and A. F. Wang and G. J. Ye and Z. J. Xiang and J. Q. Ma and X. H. Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.0295},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 6 figures