中文

通过红外光谱获得的 K 掺杂 BaFe$_2$As$_2$ 的掺杂依赖超导物理量

超导电性 2023-08-15 v1 强关联电子

摘要

我们利用红外光谱研究了四块 K 掺杂 BaFe2_2As2_2 (Ba-122) 单晶,即 Ba1x_{1-x}Kx_xFe2_2As2_2,其中 xx = 0.29、0.36、0.40 和 0.51。我们探索了从欠掺杂到过掺杂的广泛掺杂水平。从测量的光学电导率谱中获得了超流等离子体频率 (Ωsp\Omega_{\mathrm{sp}}) 及相应的伦敦穿透深度 (λL\lambda_{\mathrm{L}})。我们还采用双平行电荷传输通道方法在超导 (SC) 态中提取了电子-玻色子谱密度 (EBSD) 函数。由提取的 EBSD 函数,利用广义 McMillan 公式确定了最大 SC 转变温度 (TcMaxT_c^{\mathrm{Max}}),并利用 EBSD 函数中编码的时间尺度与已报道的费米速度计算了 SC 相干长度 (ξSC\xi_{\mathrm{SC}})。我们指出了 K 掺杂 Ba-122 与空穴掺杂铜氧化物之间掺杂依赖超导物理量的若干相似与差异。我们期望在宽掺杂范围内获得的各种 SC 物理量能为确立铁砷化物超导体的微观配对机制提供有益信息。

关键词

引用

@article{arxiv.2308.06875,
  title  = {Doping-dependent superconducting physical quantities of K-doped BaFe$_2$As$_2$ obtained through infrared spectroscopy},
  author = {Seokbae Lee and Yu-Seong Seo and Seulki Roh and Dongjoon Song and Hiroshi Eisaki and Jungseek Hwang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2308.06875},
  year   = {2023}
}

备注

16 pages, 4 figures, 1 table