PdBi2Te3 拓扑单晶中 6K 以下的体超导性
超导电性
2019-12-23 v1 材料科学
强关联电子
摘要
我们研究了自熔体生长 PdBi2Te3 单晶的结构与体超导性质。同一样品轻微研磨粉末 XRD 的 Rietveld 精修确认了所生长晶体的相纯度。PdBi2Te3 结晶为菱方结构，空间群 R-3 m，并含有少量 Bi 杂质。扫描电子显微镜（SEM）图像显示层状结构，其上的能量色散 X 射线分析（EDAX）元素分析确认其化学计量比接近 PdBi2Te3。拉曼谱中清晰观察到特征振动模式 A11g、Eg2、A21g，且相对于 Bi2Te3 的情况略有偏移。FC 与 ZFC 磁化测量（M-T）显示出抗磁转变，Tconset 约在 6K，证实了体超导性。在 2K、2.5K、3K、3.5K、4K、4.5K、5K 和 6K 不同温度下的 M-H 曲线显示回线清晰张开，一直持续到 6K。M-T 与 M-H 均明确确立了所研究 PdBi2Te3 在 6K 以下出现体 II 类超导性。所生长 PdBi2Te3 晶体在 2K 下的下临界场 Hc1 与上临界场 Hc2 分别为 180 Oe 与 4800 Oe。还计算了相干长度、穿透深度与 kappa 参数等其他超导临界参数。
引用
@article{arxiv.1912.09647,
title = {Bulk Superconductivity below 6K in PdBi2Te3 topological single crystal},
author = {M. M. Sharma and Lina Sang and Poonam Rani and X. L. Wang and V. P. S. Awana},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.09647},
year = {2019}
}
备注
13 Pages Text + Figs : Accepted Letter J. Sup. Novel. Mag