Bi2Se3 拓扑绝缘体的超快光谱研究
材料科学
2020-05-20 v1
摘要
我们研究了 Bi2Se3 拓扑绝缘体的超快瞬态吸收光谱。Bi2Se3 单晶通过常规固相反应路线结合自熔剂法生长。其结构性质通过高分辨率粉末 X 射线衍射(PXRD)进行了研究。对该晶体 PXRD 的详细 Rietveld 分析表明,样品结晶为菱方晶体结构,空间群为 R-3m,晶格参数为 a=b=4.14A 和 c=28.7010A。扫描电子显微镜(SEM)结果显示出完美的晶体结构及层状形貌,这由表面 XRD 得到证实。能量色散谱(EDS)分析确定了组成原子的定量含量,发现非常接近其化学计量比。进一步通过超快瞬态吸收光谱研究了与通量相关的非线性行为。超快光谱还预测了该单晶产生太赫兹(THz)辐射(T 射线)的能力。
引用
@article{arxiv.1910.12439,
title = {Ultrafast Spectroscopy of Bi2Se3 Topological Insulator},
author = {P. Sharma and D. Sharma and N. Vashistha and P. Rani and M. Kumar and S. S. Islam and V. P. S. Awana},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.12439},
year = {2020}
}
备注
4 Pages Text + Figs Accepted AIP Proceedings