Bi2Se3/In2Se3超晶格：生长特性与结构性质
介观与纳米尺度物理
2015-05-28 v1 材料科学
摘要
通过分子束外延在Si(111)衬底上生长了由交替的Bi2Se3和In2Se3层构成的超晶格（SLs）。Bi2Se3是一种三维拓扑绝缘体（TI），与具有大能量带隙的正常能带绝缘体In2Se3表现出良好的化学和结构兼容性。超晶格中的各单层非常均匀，且异质界面清晰锐利。因此，此类超晶格结构是探索拓扑绝缘体量子尺寸效应的潜在候选体系。
引用
@article{arxiv.1106.0580,
title = {Superlattices of Bi2Se3/In2Se3: Growth Characteristics and Structural Properties},
author = {Z. Y. Wang and X. Guo and H. D. Li and T. L. Wong and N. Wang and M. H. Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.0580},
year = {2015}
}