利用 $(Bi_{1-x}In_{x})_{2}Se_{3}$ 的可调谐反拓扑异质结构
材料科学
2016-03-11 v1
摘要
在典型的拓扑绝缘体（TI）系统中，拓扑绝缘体由非拓扑绝缘体包围，而周围的常规绝缘体（包括真空）通常不被视为拓扑绝缘体系统的一部分。在此，我们实现了首个角色反转的材料体系，其中拓扑表面态（TSS）围绕非拓扑（而非拓扑）层形成。这是通过采用原子级精确的分子束外延技术，在两层拓扑绝缘体 之间生长一层可调谐的非拓扑 实现的。在该可调谐反拓扑平台上，我们系统地改变 层的厚度和组分，表明这可将拓扑绝缘体层间的耦合从强耦合金属态调谐至弱耦合，最终达到完全解耦的绝缘态。该体系可用于探究拓扑绝缘体材料中耦合的基本性质，并为拓扑绝缘体器件提供可调谐绝缘层。
引用
@article{arxiv.1603.00683,
title = {Tunable inverse topological heterostructure utilizing $(Bi_{1-x}In_{x})_{2}Se_{3}$},
author = {Matthew Brahlek and Nikesh Koirala and Jianpeng Liu and Tahir I. Yusufaly and Maryam Salehi and Myung-Geun Han and Yimei Zhu and David Vanderbilt and Seongshik Oh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.00683},
year = {2016}
}
备注
Accepted in PRB