极化驱动的GaN/InN/GaN量子阱中的拓扑绝缘体转变
材料科学
2015-06-05 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
拓扑绝缘体（TI）态已在具有窄带隙和大自旋轨道相互作用（SOI）的材料中得到证实。这里我们证明，即使在具有可观带隙和小SOI的传统半导体中，纳米尺度工程也能产生TI态。基于先进的第一性原理计算结合有效的低能k*p哈密顿量，我们展示了材料的本征极化可用于同时减小能隙和增强SOI，从而驱动系统进入TI态。所提出的系统由嵌入GaN中的超薄InN层组成，这是一种实验上可实现的层状结构。
引用
@article{arxiv.1205.2912,
title = {Polarization-driven topological insulator transition in a GaN/InN/GaN quantum well},
author = {M. S. Miao and Q. Yan and C. G. Van de Walle and W. K. Lou and L. L. Li and K. Chang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.2912},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures