横向图案化普通半导体中的拓扑绝缘态
介观与纳米尺度物理
2015-06-11 v2 量子物理
摘要
我们提出，具有大自旋轨道耦合 (SOC) 的普通半导体（如 GaAs），在量子限制和叠加六方对称势的作用下，可以容纳稳定、鲁棒且{\it 可调}的拓扑态。我们表明，支持手性自旋边缘态的电子能隙可高达异质结微带中的电子带宽。现有的光刻技术可制备工作温度为 的拓扑绝缘体 (TI)。光刻技术的改进将为可调室温 TI 开辟道路。
引用
@article{arxiv.1210.8186,
title = {Topological Insulating States in Laterally Patterned Ordinary Semiconductors},
author = {O. P. Sushkov and A. H. Castro Neto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.8186},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures, updated refs and minor changes to the text, version published in Phys. Rev. Lett