拓扑绝缘体表面的电子 - 声子耦合
介观与纳米尺度物理
2013-07-19 v1
摘要
拓扑绝缘体（TIs）是一类具有类似普通绝缘体的体电子能隙，但在其表面拥有受保护导电态的材料。拓扑绝缘体最有趣的性质之一是其自旋手性，即自旋锁定于表面电子态波矢量的法线方向。由于这些具有自旋织构的表面态对自旋无关的后向散射具有鲁棒性，拓扑表面态在拓扑绝缘体中应非常稳定。只要自旋未完全翻转，来自缺陷和其他晶格不完备性的散射是可能的。然而，拓扑绝缘体晶体的质量可以通过精心生长来控制，而即使在最完美的晶体中声子也会存在。因此，电子 - 声子耦合（EPC）应是有限温度下表面电子态的主要散射机制。故而，研究拓扑绝缘体中的 EPC 对于评估任何潜在应用都至关重要。本文综述了关于拓扑绝缘体表面 EPC 的实验和理论研究，内容主要集中在典型的强三维拓扑绝缘体上，如 Bi2Se3 和 Bi2Te3。
引用
@article{arxiv.1307.4559,
title = {Electron-Phonon Coupling on the Surface of Topological Insulators},
author = {Xuetao Zhu and Colin Howard and Jiandong Guo and Michael El-Batanouny},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.4559},
year = {2013}
}
备注
Invited review article, to be published in the book 'Recent Research Developments in Surface Science' (Transworld Research, India, 2013)