拓扑绝缘体的晶体结构与化学
材料科学
2013-07-19 v1
摘要
拓扑表面态是一种新型的物质电子态，最近在一些小带隙半导体的晶体解理表面上被观测到。使这些态成为可能的潜在化学因素包括晶体对称性、强自旋轨道耦合的存在，以及通常贡献于价带和导带的体电子态能级的反转。本综述的目标是向化学界简要介绍拓扑绝缘体的物理原理，并描述这一新兴领域中化合物的化学性质、缺陷化学和晶体结构。
引用
@article{arxiv.1302.1059,
title = {Crystal Structure and Chemistry of Topological Insulators},
author = {R. J. Cava and Huiwen Ji and M. K. Fuccillo and Q. D. Gibson and Y. S. Hor},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.1059},
year = {2013}
}
备注
Submitted to Journal of Materials Chemistry, 47 double spaced pages, 9 figures