基于隧道结噪声测量的拓扑绝缘体能带结构
介观与纳米尺度物理
2016-01-05 v1
摘要
拓扑绝缘体（TIs）中自旋极化表面或边缘态的独特性质使这些量子相干系统从基础物理及其在低功耗自旋电子器件中的应用角度而言都颇具趣味。在此，我们通过隧穿和噪声谱学，利用以 BiTe 或 BiSe 为底部 TI 电极的 TI/AlO/Co 隧道结，在 TIs 中开展此类研究。我们证明，与 TI 材料能带结构相关的特征出现在隧穿电导中，且在低频噪声测量中表现得更为清晰。1/f 噪声的偏置依赖性在对应于 TI 能带结构特征的特定能量处揭示出峰值。因此，TI 隧道结可简化此类量子相干系统性质的研究，进而可为其自旋极化性质的技术操控铺平道路。
引用
@article{arxiv.1601.00619,
title = {Band structure of topological insulators from noise measurements in tunnel junctions},
author = {Juan Pedro Cascales and Isidoro Martınez and Ferhat Katmis and Cui-Zu Chang and Ruben Guerrero and Jagadeesh S. Moodera and Farkhad G. Aliev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.00619},
year = {2016}
}