拓扑绝缘体中螺旋边缘态的鲁棒性
介观与纳米尺度物理
2012-11-26 v1
摘要
拓扑绝缘体 (TI) 是体内具有能带隙且表面存在导电螺旋电子态的材料。螺旋态受时间反演对称性保护，因此预期对静态无序散射具有鲁棒性。在本工作中，我们报告了对由三维 TI 材料 Bi2Se3 制成的双探针输运结中无序散射的原子尺度第一性原理分析。定量确定了器件对无序散射的鲁棒性。通过考察许多不同的散射构型，出现了一个普遍趋势，即扰动势的强度及其空间分布如何能够破坏 Bi2Se3 表面上的螺旋态。
引用
@article{arxiv.1211.5333,
title = {Robustness of the helical edge states in topological insulators},
author = {Xue-Feng Wang and Yibin Hu and Hong Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.5333},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 3 figures