具有无序鲁棒性的双重拓扑绝缘体器件
介观与纳米尺度物理
2021-03-01 v1
摘要
二维 NaBi 是一种受时间反演和镜面对称性保护的双重拓扑绝缘体，是器件设计的有前景平台。然而现实中，拓扑器件的设计受限于对无序和温度的敏感性。我们研究了存在本征缺陷时 NaBi 的拓扑性质，考察了边缘态的鲁棒性及其导致的输运性质。我们应用递归格林函数技术，得以研究长度可与实验合成材料相比拟（微米量级）的无序系统。我们综合研究结果提出了一种拓扑绝缘体器件，其中利用本征缺陷来滤除平庸体态的响应。这导致了在很大电子温度范围内稳定的电导，并可由垂直电场调控。我们的方案具有普适性，可应用于各类双重拓扑绝缘体器件的设计。
引用
@article{arxiv.2006.12610,
title = {Dual Topological Insulator Device with Disorder Robustness},
author = {Bruno Focassio and Gabriel R. Schleder and Armando Pezo and Marcio Costa and Adalberto Fazzio},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.12610},
year = {2021}
}