拓扑绝缘体互连的性能
介观与纳米尺度物理
2018-06-14 v2
摘要
纳米尺度下铜互连的性能不佳，要求为集成电路的持续缩放提供新的材料解决方案。为此，我们提出使用三维时间反演不变拓扑绝缘体，其具有背散射受保护的表面态。使用半经典方法，我们证明纳米尺度 TI 互连在纳米尺度下的电阻比铜互连和石墨烯纳米带低 1-3 个数量级。我们使用非平衡格林函数 (NEGF) 形式体系来测量由杂质无序引起的纳米尺度 TI 和金属互连电导的变化。我们表明，由于无序，金属互连相对于纯净极限的电阻增加超过 500%，而在相同条件下 TI 的表面态增加不到 35%。
引用
@article{arxiv.1607.06131,
title = {Performance of Topological Insulator Interconnects},
author = {Timothy M. Philip and Mark R. Hirsbrunner and Moon Jip Park and Matthew J. Gilbert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.06131},
year = {2018}
}
备注
4 pages, 3 figures