用于互连拓扑金属 MoP 纳米线
材料科学
2022-08-05 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
随着尺寸减小,Cu 互连电阻的增加是将集成电路持续微缩至 7 nm 技术节点以下的主要挑战,因为它导致计算中不可接受的信号延迟与功耗。在纳米尺度下,Cu 的电阻率因互连表面与晶界的电子散射而增加。拓扑半金属由于其拓扑保护的表面态与受抑制的电子背散射,是潜在替代当前 Cu 互连作为低电阻互连的有前景的材料候选。在此,我们报道了拓扑金属 MoP 纳米线引人注目的电阻率标度行为,并表明在低于 500 nm 截面积下其电阻率值与 Cu 互连相当。更重要的是,我们证明 MoP 纳米线在线电阻相对于总截面积的维度标度上优于有效 Cu 与无阻挡层 Ru 互连,表明 MoP 是当前 Cu 互连标度挑战的有吸引力解决方案。
引用
@article{arxiv.2208.02784,
title = {Topological Metal MoP Nanowire for Interconnect},
author = {Hyeuk Jin Han and Sushant Kumar and Xiaoyang Ji and James L. Hart and Gangtae Jin and David J. Hynek and Quynh P. Sam and Vicky Hasse and Claudia Felser and David G. Cahill and Ravishankar Sundararaman and Judy J. Cha},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.02784},
year = {2022}
}
备注
4 figures