二维 h-BN 与 MoS2 作为超缩放铜互连的扩散阻挡层
材料科学
2017-07-03 v1
摘要
现代集成电路中的铜互连需要超薄阻挡层以防止 Cu 与周围介电材料相互混合。传统阻挡层依赖 TaN 等金属，然而其有限厚度减小了横截面积并显著增加了纳米级互连的电阻率。在本研究中，首次展示了一种新型二维 (2D) 铜扩散阻挡层，即六方氮化硼 (h-BN) 和二硫化钼 (MoS2)。利用经时介电击穿测量以及扫描透射电子显微镜结合能量色散 X 射线光谱和电子能量损失光谱，这些二维材料被证明是超缩放互连技术中有前景的阻挡层解决方案。与无阻挡层的对照器件相比，直接沉积二维阻挡层的器件预期寿命可提升三个数量级。
引用
@article{arxiv.1706.10178,
title = {Two-Dimensional h-BN and MoS2 as Diffusion Barriers for Ultra-Scaled Copper Interconnects},
author = {Chun-Li Lo and Massimo Catalano and Kirby K. H. Smithe and Luhua Wang and Shengjiao Zhang and Eric Pop and Moon J. Kim and Zhihong Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.10178},
year = {2017}
}
备注
18 pages; 8 figures