氮化硼封装对范德瓦耳斯异质结构中等离子体工艺的防护效能
材料科学
2021-08-03 v1 介观与纳米尺度物理
应用物理
等离子体物理
摘要
二维(2D)过渡金属硫族化物(TMDCs)因在光学、电子学、催化与储能中的应用而受到深入研究。当其封装于无电荷无序的环境中时，其光学与电子性质可显著增强。由于六方氮化硼(h-BN)原子级薄、高结晶且为强绝缘体，其是最常用的封装与钝化TMDCs的2D材料之一。在本报告中，我们考察超薄h-BN如何屏蔽下层MoS2 TMDC层免受半导体器件制造与后处理中常规使用的氩等离子体的轰击。采用像差校正扫描透射电子显微镜分析h-BN与MoS2层中的缺陷形成，并将这些观测与拉曼及光致发光光谱相关联。我们的结果强调，h-BN对短时等离子体暴露(< 30秒)是有效屏障，但对更长暴露无效，后者导致下层MoS2中广泛的击退损伤与非晶化。
引用
@article{arxiv.2011.07448,
title = {Efficacy of Boron Nitride Encapsulation against Plasma-Processing in van der Waals Heterostructures},
author = {Pawan Kumar and Kelotchi S. Figueroa and Alexandre C. Foucher and Kiyoung Jo and Natalia Acero and Eric A. Stach and Deep Jariwala},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.07448},
year = {2021}
}