面向单层半导体的准一维边缘接触
材料科学
2019-10-18 v3
摘要
将电学接触集成到范德华（vdW）异质结构中，对实现电子与光电子功能至关重要。然而，迄今尚无可扩展的方法实现对埋入式单层二维（2D）半导体的电学接入。本文报道了面向六方氮化硼（hBN）封装单层 MoS 的可行边缘接触形成方案。通过结合反应离子刻蚀、原位 Ar 溅射与退火，我们实现了较低的边缘接触电阻、高迁移率（高达约 30 cm/Vs）以及高导通电流密度（>50 uA/um，V = 3V），可与顶接触媲美。此外，原子级平滑的 hBN 环境在制备过程中也保持了 MoS 沟道的本征质量，带来 116 mV/dec 的陡峭亚阈值摆幅与可忽略的滞回。因此，边缘接触对于封装异质结构器件（尤其是涉及空气敏感材料的器件）的大规模实用化极具前景，并可任意窄化，这为进一步缩减 2D 器件占用面积打开了大门。
引用
@article{arxiv.1902.05506,
title = {One-dimensional edge contacts to a monolayer semiconductor},
author = {Achint Jain and Áron Szabó and Markus Parzefall and Eric Bonvin and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Palash Bharadwaj and Mathieu Luisier and Lukas Novotny},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.05506},
year = {2019}
}
备注
Supplementary Information file included