面向单层MoSi$_2$N$_4$的二维范德华电接触

Liemao Cao; Guanghui Zhou; Qianqian Wang; L. K. Ang; Yee Sin Ang

doi:10.1063/5.0033241

面向单层MoSi$_2$N$_4$的二维范德华电接触

材料科学 2021-02-03 v3 介观与纳米尺度物理应用物理

作者: Liemao Cao , Guanghui Zhou , Qianqian Wang , L. K. Ang , Yee Sin Ang

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摘要

二维（2D）MoSi $_2$ N $_4$ 单层是一类新兴的空气稳定二维半导体，具有优异的电学与力学性质。尽管近期大量研究致力于揭示MoSi $_2$ N $_4$ 的材料性质，但关于其与电接触的物理学迄今仍基本未被探索。在本工作中，我们利用第一性原理密度泛函理论计算研究了由石墨烯与NbS $_2$ 单层接触MoSi $_2$ N $_4$ 构成的范德华异质结构。我们表明MoSi $_2$ N $_4$ /NbS $_2$ 接触呈现超低肖特基势垒高度（SBH），这有利于纳米电子学应用。对于MoSi $_2$ N $_4$ /石墨烯接触，SBH可通过层间距或外部电场进行调制，从而为可重构与可调谐纳米电子器件提供了机遇。我们的发现增进了对MoSi $_2$ N $_4$ 二维电接触物理的理解，并应为面向基于MoSi $_2$ N $_4$ 的二维纳米器件的高性能电接触设计提供关键的第一步。

关键词

MoSi$_2$N$_4$ 范德华接触肖特基势垒石墨烯 NbS$_2$ 密度泛函理论二维纳米器件

引用

@article{arxiv.2010.05815,
  title  = {Two-dimensional van der Waals electrical contact to monolayer MoSi$_2$N$_4$},
  author = {Liemao Cao and Guanghui Zhou and Qianqian Wang and L. K. Ang and Yee Sin Ang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2010.05815},
  year   = {2021}
}

备注

5 pages, 5 figures (accepted version, to appear in Applied Physics Letters)

面向单层MoSi$_2$N$_4$的二维范德华电接触

摘要

关键词

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