SiO2上自生长MoS2单层与WS2/MoS2异质双层之间连续界面的原子级分辨观测
介观与纳米尺度物理
2018-08-17 v2
摘要
通过化学气相沉积(CVD)方法合成的范德瓦耳斯(vdW)异质结构能够产生并调控二维(2D)材料引人入胜的电学与光学性质,了解这些性质对于广泛的潜在应用至关重要。本文报道了我们对SiO2上自生长MoS2单层与WS2/MoS2异质双层的扫描隧道显微镜/谱(STM/STS)研究。异质双层比MoS2单层更平滑,前者的均方根(RMS)粗糙度为0.230 ± 0.021 nm,后者为0.329 ± 0.033 nm。据我们所知,我们首次以原子分辨率直接观测到MoS2单层与异质双层顶层之间的连续界面。这一发现与此前报道的异质双层顶层存在开口边缘的情况相反。我们的STS结果与密度泛函理论(DFT)计算揭示了异质双层与MoS2单层的带隙。
引用
@article{arxiv.1801.00811,
title = {Atomically Resolved Observation of Continuous Interfaces between As-grown MoS2 Monolayer and WS2/MoS2 Heterobilayer on SiO2},
author = {Fan Zhang and Zhixing Lu and Yichul Choi and Haining Liu and Husong Zheng and Liming Xie and Kyungwha Park and Liying Jiao and Chenggang Tao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.00811},
year = {2018}
}